by | Jul 11, 2022 | Propuestas, Uncategorized
El Programa Adopte Un Talento, PAUTA, es un programa enfocado a acompañar y apoyar a niñas, niños y jóvenes con interés y talento para la ciencia a lo largo de su desarrollo educativo, Impulsar la construcción, dentro y fuera de la escuela, de comunidades de aprendizaje basadas en el modelo PAUTA, en las que niños, niñas y jóvenes desarrollan habilidades que favorecen su formación integral, compartir con los docentes nuestras herramientas educativas y trabajar junto con ellos para ayudarlos a incorporar en sus escuelas el modelo PAUTA y, a la vez, fortalecer la colaboración entre profesores.
LA FERIA DE CIENCIAS es un evento que se realiza para darle un cierre al trabajo que han realizado las niñas, niños y adolescentes durante todo el ciclo escolar, quienes trabajaron junto con sus talleristas PAUTA en sesiones quincenales, en la cuales desarrollaron las habilidades del modelo pedagógico del programa mediante la indagación.
Este año se llevará a cabo la Séptima Feria de Ciencias de CDMX en la Universidad La Salle los días 8 y 9 de Julio. En la cual participó Sarah Ivanna Espinosa Pérez con su proyecto: NO ESTÁN SOLOS ¡YO LOS CUIDO!, en el cual se aplicó una serie de estrategias para la colocación de bebederos y comederos para apoyar a los perros con situación de calle en el Municipio de San Andrés, Puebla.
by | Jul 11, 2022 | Tips Mandy
by | Jul 11, 2022 | Tecnología
Samsung ha anunciado que ha comenzado la producción inicial de su chip de 3 nanómetros que aplica la arquitectura de transistores Gate-All-Around (GAA), adelantándose a su rival TSMC, que espera comenzar a fabricar chips con su generación de nodo N3 a finales de este año
El nodo de proceso de 3nm de Samsung introduce por primera vez lo que la empresa denomina tecnología Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET).
Se trata de la versión de Samsung de la arquitectura de transistores GAA, en la que el material de la puerta envuelve el canal conductor.
Esta tecnología desafía las limitaciones de rendimiento de los FinFET, mejorando la eficiencia energética al reducir el nivel de tensión de alimentación y mejorando el rendimiento al aumentar la capacidad de corriente de impulsión.
La tecnología patentada de la empresa utiliza nanoplanchas con canales más anchos, que permiten un mayor rendimiento y una mayor eficiencia energética en comparación con las tecnologías GAA que utilizan nanohilos con canales más estrechos. Utilizando la tecnología GAA de 3nm, Samsung podrá ajustar la anchura de los canales de la nanoplancha para optimizar el uso de la energía y el rendimiento para satisfacer las distintas necesidades de los clientes.
Samsung está iniciando la primera aplicación del transistor de nanoplancha con chips semiconductores para aplicaciones informáticas de alto rendimiento y bajo consumo, y tiene previsto ampliarla a los procesadores móviles.
El anuncio del inicio de la producción confirma la ventaja tecnológica de Samsung sobre su rival TSMC, que sigue utilizando transistores FinFET de 3 nanómetros.
“Samsung ha crecido rápidamente, ya que seguimos demostrando nuestro liderazgo en la aplicación de tecnologías de nueva generación a la fabricación, como la primera puerta metálica de alta K de la industria de la fundición, FinFET, así como EUV. Pretendemos continuar este liderazgo con el primer proceso de 3nm del mundo con el MBCFET. Seguiremos innovando activamente en el desarrollo de tecnologías competitivas y crearemos procesos que ayuden a acelerar la consecución de la madurez de la tecnología”.
Dr. Siyoung Choi, Samsung Electronics.
by | Jul 1, 2022 | app de la semana
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